Leistungsverstärkermodul mit Transistorchips für Mehrere Verstärkerstufen auf Derselben Wärmeableitungsstruktur
EP4383562
Art A1
12. Juni 2024
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4383562
- Aktenzeichen
- EP23212530
- Anmeldetag
- 28. November 2023
- Veröffentlichung
- 12. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F1/02H03F3/195H01L23/66H01L23/367H01L23/36H01L23/433H05K1/02H01L23/13// H01L23/538
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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