Verbessertes Verfahren zur Herstellung von Source und Drain von Dotierten Transistoren

EP4391019 Art A1 26. Juni 2024

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4391019
Aktenzeichen: EP23218369
Anmeldetag: 19. Dezember 2023
Veröffentlichung: 26. Juni 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/265H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von