Abschirmstruktur für ein Vertikales Iii-Nitrid-Halbleiterbauelement
EP4391065
Art A1
26. Juni 2024
Anmelder: Imec VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4391065
- Aktenzeichen
- EP22216111
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/04H01L21/306H01L21/308H01L29/06H01L29/20H01L29/66H01L29/78H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Imec VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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