Transistor mit Integrierter Source-Drain-Diode
Anmelder: United Silicon Carbide Inc., Qorvo US, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4394884
- Aktenzeichen
- EP23218249
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 8. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/10H01L29/808// H01L29/06
Abstract
Vertical junction field-effect transistors (VJFETs) with integrated source-drain anti-parallel diodes are described. In an embodiment, a trench VJFET with integrated source-drain anti-parallel diodes structure is coupled with a low-voltage metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) in a dual gate cascode configuration.
Anmelder
- Firmen
- United Silicon Carbide Inc.
Qorvo US, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
Qorvo US ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in North Carolina, spezialisiert auf HF-Bauelemente für Mobilfunk und Netzwerktechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Schaltungstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.
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