Halbleiteranordnung mit einer Vergrabenen Feldplatte und Herstellungsverfahren dafür
EP4394886
Art A1
3. Juli 2024
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4394886
- Aktenzeichen
- EP23217734
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 3. Juli 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/41H01L29/778H01L21/338// H01L29/423H01L29/08H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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