Halbleiterspeichervorrichtung und Herstellungsverfahren und Lese-/schreibverfahren dafür sowie Elektronische Vorrichtung und Speicherschaltung

EP4395490 Art A1 3. Juli 2024

Anmelder: Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4395490
Aktenzeichen: EP22934524
Anmeldetag: 2. Juni 2022
Veröffentlichung: 3. Juli 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H10B12/00H10D30/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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