Verfahren zur Herstellung eines Bipolaren Silizium-Sperrschichttransistors und Bjt
EP4398310
Art A1
10. Juli 2024
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4398310
- Aktenzeichen
- EP23150548
- Anmeldetag
- 6. Januar 2023
- Veröffentlichung
- 10. Juli 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/08H01L29/10H01L29/66H01L29/737H01L29/732H01L21/8222H01L27/082
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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