Dreidimensionale Speichervorrichtung mit Eingebettetem Dynamischem Direktzugriffsspeicher

EP4401127 Art A3 20. November 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4401127
Aktenzeichen
EP24176697
Anmeldetag
30. April 2019
Veröffentlichung
20. November 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/00H01L25/18H01L21/50
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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