Siliciumcarbid-Leistungs-Mosfet-Bauelement mit Verbesserter Leistung und Herstellungsverfahren dafür

EP4411830 Art A1 7. August 2024

Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4411830
Aktenzeichen: EP24153621
Anmeldetag: 24. Januar 2024
Veröffentlichung: 7. August 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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