Kristalliner Oxiddünnfilm, Verfahren zu Seiner Herstellung, Dünnfilmtransistor und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP4418309 Art A1 21. August 2024

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4418309
Aktenzeichen: EP22881047
Anmeldetag: 12. Oktober 2022
Veröffentlichung: 21. August 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/363C23C14/08H01L21/20H01L21/66H01L21/324H10D30/67H10D62/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

2.158 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von