Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

EP4418329 Art A1 21. August 2024

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4418329
Aktenzeichen: EP23189868
Anmeldetag: 4. August 2023
Veröffentlichung: 21. August 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L21/336H01L29/423H01L29/06// H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.642 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba Electronic Devices & Storage

Toshiba Electronic Devices & Storage ist eine Tochtergesellschaft des japanischen Toshiba-Konzerns für Halbleiterbauelemente und Speicherprodukte. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente, ergänzt um Mess- und Prüftechnik sowie Software und Telekommunikation. Die Anmeldungen betreffen überwiegend Halbleiterbauelemente und zugehörige Steuerschaltungen.

254 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von