Speicherzelle

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4421809

Aktenzeichen

EP24158011

Anmeldetag

16. Februar 2024

Veröffentlichung

28. August 2024

Rechtsraum

EP

IPC

G11C16/04G11C16/10H10B41/10H10B41/70H10B41/20G11C16/26

Abstract

La présente description concerne un procédé d'utilisation d'une cellule mémoire (10) reprogrammable, la cellule comprenant trois régions semiconductrices, la deuxième région comprenant des deuxièmes parties supérieures (22a, 22b), les deuxième parties supérieures formant un transistor (44) avec des première (34) et deuxième (38) couche, une première partie (24a) supérieure de la première région (24) située en regard de la deuxième couche conductrice(38) étant dopée d'un type de conductivité opposé à celui d'une troisième partie (20a) supérieure de la troisième partie (20) située en regard de la deuxième couche, le procédé comprenant la programmation de valeurs :- par l'application d'un champ électrique compris entre 5 MV/cm et 10 MV/cm entre la première région (24) et la deuxième couche ; et- par l'application d'un champ électrique compris entre 5 MV/cm et 10 MV/cm entre la troisième région (20) et la deuxième couche.

Anmelder

Firma

STMicroelectronics International N.V.

Land

🇨🇭 Schweiz

Fachgebiete