Verfahren zur Herstellung Lokalisierter Ionenimplantate in Elektronischen Siliciumcarbid-Leistungsbauelementen
EP4425533
Art B1
24. September 2025
Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4425533
- Aktenzeichen
- EP24157646
- Anmeldetag
- 14. Februar 2024
- Veröffentlichung
- 24. September 2025
- Erteilung
- 24. September 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/265H10D12/01H10D30/01H10D30/66H10D62/13// H10D62/832
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics International N.V.
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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