Hemt-Anordnung mit Verringertem Gate-Leckstrom und Herstellungsverfahren dafür

EP4428929 Art A1 11. September 2024

Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4428929
Aktenzeichen: EP24305308
Anmeldetag: 27. Februar 2024
Veröffentlichung: 11. September 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L21/337// H01L29/10H01L29/40H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

733 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von