Graben-Leistungs-Mosfet mit Abgeschirmtem Gate und mit einem Dielektrikum mit Hoher K-Abschirmung

EP4430669 Art A1 18. September 2024

Anmelder: Semiconductor Components Industries, LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4430669
Aktenzeichen: EP23708118
Anmeldetag: 30. Januar 2023
Veröffentlichung: 18. September 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/40H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Components Industries, LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Semiconductor Components Industries

Semiconductor Components Industries, besser bekannt unter der Marke onsemi, ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Arizona. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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