Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mittels Laserglühen
EP4434078
Art A1
25. September 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4434078
- Aktenzeichen
- EP21966039
- Anmeldetag
- 2. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 25. September 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/268H10B43/27H01L21/324
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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