Speichervorrichtung, Speichersystem und Lesebetriebsverfahren dafür
EP4437541
Art A1
2. Oktober 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4437541
- Aktenzeichen
- EP22899902
- Anmeldetag
- 7. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/26G11C16/04G11C11/56G11C16/08G11C16/30G11C16/32G11C16/34G11C29/02G11C29/52G11C29/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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