Doppelprogramm-Debug-Verfahren für Nand-Speicher mit Selbstüberprüfung durch Interne Firmware

EP4437542 Art A1 2. Oktober 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4437542
Aktenzeichen
EP22921027
Anmeldetag
18. Januar 2022
Veröffentlichung
2. Oktober 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/34G11C16/04G11C16/10G11C16/32G11C29/52G11C11/56
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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