Speichersystemverpackungsstruktur und Verfahren zur Herstellung davon
EP4437588
Art A1
2. Oktober 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4437588
- Aktenzeichen
- EP22914071
- Anmeldetag
- 6. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/498H01L23/00H01L25/065H01L25/10H01L25/18// H01L21/56H01L23/31H01L25/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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