Herstellung von Integrierten Gate-All-Around-Schaltungsstrukturen mit Mehrschichtigem Molybdenmetall-Gatestapel
EP4439647
Art A1
2. Oktober 2024
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4439647
- Aktenzeichen
- EP23217494
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L27/092H01L29/06H01L29/423H01L29/49H01L29/66H01L29/786H01L29/775
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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