Hemt-Anordnung mit Verbesserter Gate-Struktur und Verfahren zu deren Herstellung

EP4439677 Art A1 2. Oktober 2024

Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4439677
Aktenzeichen: EP24315107
Anmeldetag: 26. März 2024
Veröffentlichung: 2. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L21/337H01L29/10// H01L29/41H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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