Verfahren zum Plasmaätzen einer Schicht auf Basis eines Iii-N-Materials

EP4441778 Art A1 9. Oktober 2024

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, LAM Research Corporation, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4441778
Aktenzeichen: EP22818838
Anmeldetag: 22. November 2022
Veröffentlichung: 9. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
LAM Research Corporation
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

491 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von