Speicherarrays mit Strings von Speicherzellen und Verfahren zur Herstellung eines Speicherarrays mit Strings von Speicherzellen
EP4442090
Art A1
9. Oktober 2024
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4442090
- Aktenzeichen
- EP22901987
- Anmeldetag
- 29. September 2022
- Veröffentlichung
- 9. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B41/27H10B43/27H10B41/35H10B43/35H10B41/10H10B43/10// G11C16/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
-
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk LLP · Luxembourg