Reflektierender Maskenrohling und Herstellungsverfahren für Reflektierende Maske

EP4443235 Art A3 8. Januar 2025

Anmelder: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4443235
Aktenzeichen
EP24164620
Anmeldetag
19. März 2024
Veröffentlichung
8. Januar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G03F1/24G03F1/48G03F1/58
Offizieller Volltext

Abstract

In a reflective mask blank including a substrate, a multilayer reflection film, a protection film, an absorber film and a hard mask film, the protection film is composed of a material containing ruthenium (Ru), the absorber film consists of a first layer and a second layer, or a first layer, a second layer and a third layer, the first layer has a composition containing tantalum (Ta) and being free of nitrogen (N), the second layer has a composition containing tantalum (Ta) and nitrogen (N), the third layer has a composition containing tantalum (Ta), nitrogen (N) and oxygen (O), and the hard mask film is composed of a material containing chromium (Cr).

Anmelder

Firma
SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

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