Reflektierender Maskenrohling und Herstellungsverfahren für Reflektierende Maske
Anmelder: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4443235
- Aktenzeichen
- EP24164620
- Anmeldetag
- 19. März 2024
- Veröffentlichung
- 8. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F1/24G03F1/48G03F1/58
Abstract
In a reflective mask blank including a substrate, a multilayer reflection film, a protection film, an absorber film and a hard mask film, the protection film is composed of a material containing ruthenium (Ru), the absorber film consists of a first layer and a second layer, or a first layer, a second layer and a third layer, the first layer has a composition containing tantalum (Ta) and being free of nitrogen (N), the second layer has a composition containing tantalum (Ta) and nitrogen (N), the third layer has a composition containing tantalum (Ta), nitrogen (N) and oxygen (O), and the hard mask film is composed of a material containing chromium (Cr).
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München