Halbleitergehäuse, Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Leiterrahmen
EP4443497
Art A1
9. Oktober 2024
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4443497
- Aktenzeichen
- EP24162733
- Anmeldetag
- 11. März 2024
- Veröffentlichung
- 9. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/495H01L21/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank