Verfahren zur Herstellung einer 3D-Schaltung mit Geteilten Rekristallisierungs- und Dotierungsaktivierungsschritten

EP4445427 Art A1 16. Oktober 2024

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, SOITEC, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4445427
Aktenzeichen: EP22834697
Anmeldetag: 5. Dezember 2022
Veröffentlichung: 16. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
SOITEC
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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