Abscheidung von Metallen in Vertieften Merkmalen unter Verwendung von Halogenhaltigen Abscheidungsinhibitoren

EP4448831 Art A1 23. Oktober 2024

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4448831
Aktenzeichen: EP22908567
Anmeldetag: 30. November 2022
Veröffentlichung: 23. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: C23C16/04C23C16/06C23C16/455H01L21/285H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.727 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von