Seitenpuffer, Speichervorrichtung und Verfahren zur Programmierung davon
EP4449416
Art A1
23. Oktober 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4449416
- Aktenzeichen
- EP22931873
- Anmeldetag
- 21. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 23. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/10G11C7/12G11C7/10G11C16/04G11C16/24G11C16/32G11C16/30G11C16/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank