Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiterstruktur auf Silicium auf Isolator und Verfahren zu deren Wachstum

EP4449482 Art B1 24. September 2025

Anmelder: SOITEC, Soitec Belgium 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4449482
Aktenzeichen: EP22817285
Anmeldetag: 16. November 2022
Veröffentlichung: 24. September 2025
Erteilung: 24. September 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/322H01L21/762H01L21/28H01L21/20H10D30/47// H10D62/85

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SOITEC
Soitec Belgium
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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