Speichervorrichtungen mit Vertikalen Transistoren und Verfahren zur Herstellung davon
EP4449835
Art A1
23. Oktober 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4449835
- Aktenzeichen
- EP23806867
- Anmeldetag
- 15. Mai 2023
- Veröffentlichung
- 23. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H10D30/67H01L25/18// H10B80/00H10D87/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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