Dreidimensionale Ferroelektrische Feldeffekttransistor-Direktzugriffsspeicheranordnungen und Herstellungsverfahren dafür
EP4454020
Art A1
30. Oktober 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4454020
- Aktenzeichen
- EP22829653
- Anmeldetag
- 16. November 2022
- Veröffentlichung
- 30. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/78H10B51/10H10B51/20H01L21/28H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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