Halbleitergehäuse, Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses und Leistungsmodul

EP4456132 Art A1 30. Oktober 2024

Anmelder: Shenzhen STS Microelectronics Co., Ltd., STMicroelectronics International N.V. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4456132
Aktenzeichen: EP24171773
Anmeldetag: 23. April 2024
Veröffentlichung: 30. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/64H01L23/31H01L25/07// H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Shenzhen STS Microelectronics Co., Ltd.
STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

733 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von