Speichervorrichtung, Betriebsverfahren dafür und Speichersystem

EP4460824 Art A1 13. November 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4460824
Aktenzeichen
EP22960628
Anmeldetag
5. Dezember 2022
Veröffentlichung
13. November 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/34G11C8/12G11C16/04G11C16/08G11C16/10G11C16/16G11C16/26G11C16/28
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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