Dreidimensionale Speichervorrichtungen und Herstellungsverfahren dafür
EP4461107
Art A1
13. November 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4461107
- Aktenzeichen
- EP23720723
- Anmeldetag
- 24. März 2023
- Veröffentlichung
- 13. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/40H10B51/40H10B53/40H10B80/00H10B43/27H01L23/00H01L25/065H01L25/18H01L25/00H10B51/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank