Dreidimensionaler Speicher und Herstellungsverfahren dafür sowie Speichersystem
EP4462474
Art A1
13. November 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4462474
- Aktenzeichen
- EP22961780
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 13. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B41/27H10B43/27H10B41/35H10B43/35
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank