Chip, Halbleitergehäusestruktur, Verfahren zur Konfiguration eines Aktivierungsstifts und Speicher

EP4465353 Art A1 20. November 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4465353
Aktenzeichen
EP22967606
Anmeldetag
8. Dezember 2022
Veröffentlichung
20. November 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/08G11C16/04H01L25/065// G11C5/02G11C5/04G11C5/06G11C8/10G11C8/12H01L25/18
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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