Speichervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung davon
EP4466962
Art A1
27. November 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4466962
- Aktenzeichen
- EP23739456
- Anmeldetag
- 7. Juni 2023
- Veröffentlichung
- 27. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00G11C7/12H01L21/822H01L27/06H01L29/786H10B63/10H10B63/00H01L21/768H01L23/00H01L23/522H01L23/528
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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