Verbesserter Euv-Unterschichteffekt mit Diffusionssperrschicht

EP4470029 Art A1 4. Dezember 2024

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4470029
Aktenzeichen: EP23747742
Anmeldetag: 9. Januar 2023
Veröffentlichung: 4. Dezember 2024
Rechtsraum: EP
IPC: G03F7/11G03F7/09G03F7/004

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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