Gate-Kontaktstruktur für einen Graben-Leistungs-Mosfet mit Geteilter Gate-Konfiguration

EP4471865 Art A1 4. Dezember 2024

Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4471865
Aktenzeichen: EP24177347
Anmeldetag: 22. Mai 2024
Veröffentlichung: 4. Dezember 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/40H01L29/423H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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