Verfahren zur Herstellung einer Qubit-Halbleiteranordnung mit Seiten-Gates und Top-Gates

EP4471867 Art A1 4. Dezember 2024

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4471867
Aktenzeichen: EP24178286
Anmeldetag: 27. Mai 2024
Veröffentlichung: 4. Dezember 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H01L29/66H01L29/06// B82Y10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von