Mosfet mit Geteiltem Gate
EP4478420
Art A1
18. Dezember 2024
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4478420
- Aktenzeichen
- EP23179248
- Anmeldetag
- 14. Juni 2023
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/40H01L29/417H01L29/78H01L29/66// H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Nexperia
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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