Molybdänabscheidung mit Niedrigem Widerstand für Logische Source/drain-Kontakte

EP4483401 Art A1 1. Januar 2025

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4483401
Aktenzeichen: EP23760828
Anmeldetag: 17. Februar 2023
Veröffentlichung: 1. Januar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L21/285H01L21/02C23C16/02C23C16/04C23C16/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von