Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren Dafür, Speicher und Speichersystem
EP4485534
Art A1
1. Januar 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4485534
- Aktenzeichen
- EP23923205
- Anmeldetag
- 12. Mai 2023
- Veröffentlichung
- 1. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/78H10B41/10H10B41/27H10B41/35H10B41/40H10B43/10H10B43/27H10B43/35H10B43/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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