Transistoren mit Antimon- und Phosphordotierten Epitaktischen Source-/drain-Schichten
EP4485542
Art A1
1. Januar 2025
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4485542
- Aktenzeichen
- EP23216200
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 1. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/08H01L29/32H01L29/36H01L29/45H01L29/775
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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