Transistoren mit Antimon- und Phosphordotierten Epitaktischen Source-/drain-Schichten

EP4485542 Art A1 1. Januar 2025

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4485542
Aktenzeichen
EP23216200
Anmeldetag
13. Dezember 2023
Veröffentlichung
1. Januar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/06H01L29/08H01L29/32H01L29/36H01L29/45H01L29/775
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Intel Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.628 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen