Transistoren mit Vergrabenen Feldplatten und Herstellungsverfahren dafür
EP4485545
Art A1
1. Januar 2025
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4485545
- Aktenzeichen
- EP24182626
- Anmeldetag
- 17. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 1. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/338H01L29/40H01L23/31// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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