Verfahren zur Erzeugung eines Ohmschen Kontaktes auf einer Elektrischen Hochleistungsdiode

EP4489055 Art A1 8. Januar 2025

Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4489055
Aktenzeichen: EP24182516
Anmeldetag: 17. Juni 2024
Veröffentlichung: 8. Januar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L21/268H01L21/329H01L29/872// H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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