Verfahren zur Durchführung eines Spannungszustands in einer Halbleiterschicht

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4492471

Aktenzeichen

EP24187074

Anmeldetag

8. Juli 2024

Veröffentlichung

15. Januar 2025

Rechtsraum

EP

IPC

H10D30/60H01L21/265H01L21/268H01L21/324

Abstract

Titre : Procédé de réalisation d'un état de contrainte dans une couche semi-conductrice L'invention porte sur un procédé de réalisation d'un état de contrainte uniaxiale (C3, C3') dans une couche semi-conductrice (13), Ledit procédé comprenant : - Une fourniture d'un empilement comprenant un support (10), la couche semi-conductrice (13) et une couche fusible (11) intercalée, - Une formation d'une couche (14) donneuse de contrainte sur la couche semi-conductrice (13), - Une altération partielle de la couche (14) donneuse de contrainte, modifiant un premier état de contrainte (C1) de la couche (14) pour obtenir un deuxième état de contrainte (C2) selon une seule direction (y), - Une fusion de la couche fusible (11f), de façon à ce que la couche (14) donneuse de contrainte transfère par relaxation le deuxième état de contrainte (C2, C2') dans la couche semi-conductrice (13).

Anmelder

Firma

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete