Iii-Nitrid-Halbleiteranordnung mit Verbesserter Rückseitenbarriere
EP4496008
Art A1
22. Januar 2025
Anmelder: Imec VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4496008
- Aktenzeichen
- EP23186643
- Anmeldetag
- 20. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 22. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Imec VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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