Herstellungsverfahren für Siliciumcarbid-Leistungsbauelemente mit Variabler Dotierungsdichte

EP4503137 Art A1 5. Februar 2025

Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4503137
Aktenzeichen: EP24191703
Anmeldetag: 30. Juli 2024
Veröffentlichung: 5. Februar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/08H01L21/04H01L29/10H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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