Substrat mit Vias und Zugehörige Herstellungsverfahren
EP4505511
Art A1
12. Februar 2025
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, SOITEC 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4505511
- Aktenzeichen
- EP23714548
- Anmeldetag
- 28. März 2023
- Veröffentlichung
- 12. Februar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
SOITEC - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
Hautier IP
Hautier IP · Nice